| 反向电压VrReverse Voltage | 400V |
| 平均整流电流IoAverage Rectified Current | 100mA/0.1A |
| 最大正向压降VFForward Voltage(Vf) | 1.2V |
| 反向恢复时间TrrReverse Recovery Time | 1.5NS |
| 最大耗散功率PdPower Dissipation | 150mW/0.15W |
| Description & Applications | FEATURES •TOSHIBA Diode Silicon EpitAxiAl PlAnAr Type •High VoltAge, High Speed Switching ApplicAtions •Low forwArd VoltAge : VF = 0.94V (typ.) •High VoltAge : VR = 400V (min) •FAst reVerse recoVery time : trr = 1.5ns (typ.) •SmAll totAl cApAcitAnce : CT = 3.2pF (typ.) |
| 描述与应用 | 特点 •东芝二极管硅外延平面型 •高电压，高速开关应用 •低正向电压VF=0.94V（典型值） •高电压：VR= 400V（最小） •快速反向恢复时间：TRR =为1.5ns（典型值） •小总电容：CT=3.2pF（典型值） |