| 反向电压VrReverse Voltage | 200V |
| 平均整流电流IoAverage Rectified Current | 100mA/0.1A |
| 最大正向压降VFForward Voltage(Vf) | 1.2V |
| 反向恢复时间TrrReverse Recovery Time | 60NS |
| 最大耗散功率PdPower Dissipation | 100mW/0.1W |
| Description & Applications | FEATURES • TOSHIBA Diode Silicon EpitAxiAl PlAnAr Type • High VoltAge, High Speed Switching ApplicAtions • Low forwArd VoltAge : VF = 0.9V (typ.) • FAst reVerse recoVery time : trr = 60ns (typ.) • SmAll totAl cApAcitAnce : CT = 1.5pF (typ.) |
| 描述与应用 | 特点 •东芝二极管硅外延平面型 •高电压，高速开关应用 •小包装低正向电压VF=0.9V（典型值） •快速反向恢复时间：TRR =60ns（典型值） •小总电容：CT=1.5pF的（典型值） |