| 反向电压VrReverse Voltage |
400V |
| 平均整流电流IoAverage Rectified Current |
0.1A |
| 最大正向压降VFForward Voltage(Vf) |
1.3V |
| 反向恢复时间TrrReverse Recovery Time |
0.5μs |
| 最大耗散功率PdPower Dissipation |
150mW/0.15W |
| Description & Applications |
FeAtures • TOSHIBA Diode Silicon EpitAxiAl PlAnAr Diode • High-VoltAge, High-Speed Switching ApplicAtions Low forwArd VoltAge : VF = 1.0V (typ.) High VoltAge : VR = 400V (min.) FAst reVerse recoVery time : trr = 0.5µs (typ.) SmAll totAl cApAcitAnce : CT = 2.5pF (typ.) SmAll pAckAge : SC-61 |
| 描述与应用 |
特点 •东芝二极管硅外延平面二极管 •高电压，高速开关应用 低正向电压VF= 1.0V（典型值） 高电压：VR= 400V（最小） 快速反向恢复时间：TRR =为0.5μs（典型值） 小总电容：CT=2.5pF的（典型值） 小型封装：SC-61 |