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  • 型号：2N7002K-T1-E3
  • 厂家：VISHAY
  • 批号：10+ROHS 10+ROHS
  • 整包数量：3000
  • 最小起批量：10
  • 标记/丝印/代码/打字：7K
  • 封装：SOT-23/SC-59
  • 技术文档：下载

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage 60V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage 20V
最大漏极电流Id Drain Current 300mA/0.3A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance 2Ω/Ohm @500mA,10V
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage 1-2.5V
耗散功率Pd Power Dissipation 350mW/0.35W
Description & Applications N-Channel 60-V (D-S) MOSFET Features N-Channel 60-V (D-S) MOSFET Low On-Resistance: 2 Ω Low Threshold: 2 V (typ.) Low Input Capacitance: 25 pF Fast Switching Speed: 25 ns Low Input and Output Leakage TrenchFET® Power MOSFET 2000 V ESD Protection
描述与应用 N沟道60-V（D-S）的MOSFET 特性 N沟道60-V（D-S）的MOSFET 低导通电阻：2Ω 低阈值：2 V（典型值 低输入电容：25 pF 开关速度快：25纳秒 低输入和输出泄漏 的TrenchFET®功率MOSFET 2000 V ESD保护
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深圳市爱瑞凯电子科技有限公司
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2N7002K-T1-E3
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