请先登录
首页
购物车0
库存594000件10起订
购买数量
商品参数
相关型号

×

商品参数：

  • 型号：2N7002K
  • 厂家：NXP/PHILIPS
  • 批号：07+ROHS 07+ROHS
  • 整包数量：3000
  • 最小起批量：10
  • 标记/丝印/代码/打字：W2K
  • 封装：SOT-23/SC-59
  • 技术文档：下载

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage 60V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage 15V
最大漏极电流Id Drain Current 340mA/0.34A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance 2.8Ω/Ohm @500mA,10V
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage 1-2V
耗散功率Pd Power Dissipation 830mW/0.83W
Description & Applications TrenchMOS™ logic level FET Description N-channel enhancement mode field-effect transistor in a plastic package using TrenchMOS™ technology Features TrenchMOS™ logic level FET Logic level compatible Very fast switching Subminiature surface mount package Gate-source ESD protection diodes
描述与应用 renchMOS™逻辑电平FET 描述 N沟道增强型场效应晶体管在一个塑料包装用 的TrenchMOS™技术 特性 TrenchMOS™逻辑电平FET 逻辑电平兼容 开关速度非常快 超小型表面贴装封装 栅源ESD保护二极管
规格书PDF 下载

×

在线询价：

* 来自：
寄予：
深圳市爱瑞凯电子科技有限公司
商品：
2N7002K
*主题：
详细内容：
*验证码：