| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO) |
−40V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO) |
−32V |
| 集电极连续输出电流ICCollector Current(IC) |
−500mA/-0.5A |
| 截止频率fTTranstion Frequency(fT) |
200MHz |
| 直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE) |
82~180 |
| 管压降VCE（sat）Collector-Emitter SaturationVoltage |
−600mV/-0.6V |
| 耗散功率PcPoWer Dissipation |
200mW/0.2W |
| Description & Applications |
SURFACE MOUNT Medium Power PNP Transistor Features 1) Large IC. ICMAX.= -500mA 2) Low VCE(sat).Ideal for low-voltage operation. 3) Complements the 2SC2411K. |
| 描述与应用 |
表面贴装中等功率PNP晶体管 特点 1）大型IC。 ICMAX=500毫安 2）低VCE（SAT）。非常适于低电压操作。 3）补充2SC2411K |