| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO) | −20V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO) | -10V |
| 集电极连续输出电流ICCollector Current(IC) | -2A |
| 截止频率fTTranstion Frequency(fT) | 140MHz |
| 直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE) | 300~600 |
| 管压降VCE（sat）Collector-Emitter SaturationVoltage | −200mV/-0.2V |
| 耗散功率PcPoWer Dissipation | 500mW/0.5W |
| Description & Applications | Transistor silicon PNP epitaxial type audio power applications； strobe flash applications； high DC current gain and excellent linearity； low saturation voltage； |
| 描述与应用 | 晶体硅外延型PNP 音频功率应用; 闪光灯的应用; 高直流增益，出色的线性度; 低饱和电压 |