| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO) | -100V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO) | −100V |
| 集电极连续输出电流ICCollector Current(IC) | −500mA/-0.5A |
| 截止频率fTTranstion Frequency(fT) | 130MHz |
| 直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE) | 150~300 |
| 管压降VCE（sat）Collector-Emitter SaturationVoltage | −150mV/-0.15V |
| 耗散功率PcPoWer Dissipation | 500mW/0.5W |
| Description & Applications | For high voltage drive application silicon PNP epitaxial type high Vceo； high collector current； high gain band width product； high collector dissipation |
| 描述与应用 | 对于高电压驱动器中的应用硅PNP外延型 高VCEO; 高集电极电流; 高增益带宽产品; 高集电极耗散 |