| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO) |
-300V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO) |
−300V |
| 集电极连续输出电流ICCollector Current(IC) |
−100mA/-0.1A |
| 截止频率fTTranstion Frequency(fT) |
55MHz |
| 直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE) |
30~90 |
| 管压降VCE（sat）Collector-Emitter SaturationVoltage |
−500mV/-0.5V |
| 耗散功率PcPoWer Dissipation |
150mW/0.15W |
| Description & Applications |
Silicon PNP epitaxial type high voltage control applications plasma display, nixie tube driver applications cathode ray tube brightness control applications high voltage； low saturation voltage； small collector output capacitance； complementary to 2sc4497 |
| 描述与应用 |
PNP硅外延型 高电压控制应用 等离子显示器，数码管驱动器应用 阴极射线管的亮度控制的应用 高电压; 低饱和电压; 小集电极输出电容; 互补2sc4497 |