| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO) | -40V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO) | −30V |
| 集电极连续输出电流ICCollector Current(IC) | -1.2A |
| 截止频率fTTranstion Frequency(fT) | 100MHz |
| 直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE) | 120~400 |
| 管压降VCE（sat）Collector-Emitter SaturationVoltage | −500mV/-0.5V |
| 耗散功率PcPoWer Dissipation | 500mW/0.5W |
| Description & Applications | transistor silicon PNP epitaxial type power amplifier application； power switching application； low saturation voltage； high speed switching time； complementary to 2sc4539 |
| 描述与应用 | 晶体管硅外延型PNP 功率放大器中的应用; 电源开关应用; 低饱和电压; 高速开关时间; 互补2sc4539 |