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商品参数:

  • 型号:2SA2014
  • 厂家:SANYO
  • 批号:05+ 05+
  • 整包数量:1000
  • 最小起批量:10
  • 标记/丝印/代码/打字:AU
  • 封装:SOT-89/PCP/SC-62
  • 技术文档:下载

集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO)-15V
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO)−15V
集电极连续输出电流ICCollector Current(IC) -9A
截止频率fTTranstion Frequency(fT) 220MHz
直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE)200~560
管压降VCE(sat)Collector-Emitter SaturationVoltage-170mV/-0.17V
耗散功率PcPoWer Dissipation600mW/0.6W
Description & ApplicationsPNP Silicon epitaxial Transistor For DC-DC converter applications Applications Relay drivers, lamp drivers, motor drivers, strobes. Features Adoption of MBIT processes. Large current capacitance. Low collector-to-emitter saturation voltage. High-speed switching. Ultrasmall-sized package permitting applied sets to be made small and slim. High allowable power dissipation.
描述与应用PNP硅外延晶体管 DC-DC转换器应用 应用 继电器驱动器,灯驱动器,电机驱动器,闪光灯。 特点 通过MBIT流程。 大电流容量。 低集电极 - 发射极饱和电压。 高速开关。 集小型和超薄超小尺寸封装允许应用。 高允许功耗。
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深圳市爱瑞凯电子科技有限公司
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