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商品参数:

  • 型号:2SB1121S
  • 厂家:SANYO
  • 批号:05+1RNOPB 05+nopb478
  • 整包数量:1000
  • 最小起批量:10
  • 标记/丝印/代码/打字:BDS
  • 封装:SOT-89/PCP/SC-62
  • 技术文档:下载

集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO)-30V
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO)−25V
集电极连续输出电流ICCollector Current(IC)-2A
截止频率fTTranstion Frequency(fT) 150MHz
直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE)140~280
管压降VCE(sat)Collector-Emitter SaturationVoltage-400mV/-0.4V
耗散功率PcPoWer Dissipation500mW/0.5W
Description & ApplicationsPNP Silicon epitaxial planar transistor High current driver applications Applications voltage regulators,relay drivers,lamp drivers. electrical equipment Features Low collector-to-emitter saturation voltage Large current capacity and wide ASO Fast switching speed Very small size making it easy to provide highdensity, small-sized hybrid IC’s
描述与应用PNP硅外延平面晶体管 高电流驱动应用 应用 电压调节器,继电器驱动器,灯驱动器,电气设备 特点 低集电极 - 发射极饱和电压 大电流容量,广ASO 开关速度快 规模非常小,因此很容易提供高密度,小型混合IC
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深圳市爱瑞凯电子科技有限公司
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2SB1121S
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