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  • 型号：2SB1132 T100P
  • 厂家：ROHM
  • 批号：05+
  • 整包数量：1000
  • 最小起批量：10
  • 标记/丝印/代码/打字：BAP
  • 封装：SOT-89/SC-62/MPT
  • 技术文档：下载

集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO) -40V
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO) −32V
集电极连续输出电流ICCollector Current(IC) -1A
截止频率fTTranstion Frequency(fT) 150MHz
直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE) 82~180
管压降VCE（sat）Collector-Emitter SaturationVoltage −500mV/-0.5V
耗散功率PcPoWer Dissipation 500mW/0.5W
Description & Applications Medium Power Transistor Features 1) Low VCE(sat). 2)Complementary 2SD1664
描述与应用 中等功率晶体管 特点 1）低VCE（sat）的。 2）互补型2SD1664
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深圳市爱瑞凯电子科技有限公司
商品：
2SB1132 T100P
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