| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO) |
-40V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO) |
−32V |
| 集电极连续输出电流ICCollector Current(IC) |
-1A |
| 截止频率fTTranstion Frequency(fT) |
150MHz |
| 直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE) |
82~180 |
| 管压降VCE（sat）Collector-Emitter SaturationVoltage |
−500mV/-0.5V |
| 耗散功率PcPoWer Dissipation |
500mW/0.5W |
| Description & Applications |
Medium Power Transistor Features 1) Low VCE(sat). 2)Complementary 2SD1664 |
| 描述与应用 |
中等功率晶体管 特点 1）低VCE（sat）的。 2）互补型2SD1664 |