| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO) |
−20V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO) |
−20V |
| 集电极连续输出电流ICCollector Current(IC) |
-3A |
| 截止频率fTTranstion Frequency(fT) |
240MHz |
| 直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE) |
180~390 |
| 管压降VCE（sat）Collector-Emitter SaturationVoltage |
−500mV/-0.5V |
| 耗散功率PcPoWer Dissipation |
600mW/0.6W |
| Description & Applications |
PNP Silicon epitaxial planar transistor Low frequency transistor Features 1) Low VCE(sat) 2) Excellent DC current gain characteristics. 3) Complements the 2SD2150. |
| 描述与应用 |
PNP硅外延平面晶体管 低频晶体管 特点 1）低VCE（SAT） 2）优秀DC电流增益特性。 3）补充2SD2150。 |