首页
购物车0

×

商品参数:

  • 型号:2SB798
  • 厂家:NEC
  • 批号:07+ 05+
  • 整包数量:1000
  • 最小起批量:10
  • 标记/丝印/代码/打字:DK
  • 封装:SOT-89/SC-62
  • 技术文档:下载

集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO) -30V
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO) −25V
集电极连续输出电流ICCollector Current(IC) -1A
截止频率fTTranstion Frequency(fT) 110MHz
直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE) 200~400
管压降VCE(sat)Collector-Emitter SaturationVoltage -250mV/-0.25V
耗散功率PcPoWer Dissipation 2W
Description & Applications PNP silicon epitaxial transistor power mini mold low collector saturation voltage; excellent DC current gain linearity; complementary to 2SD999
描述与应用 PNP硅外延晶体管电源小型模具 低集电极饱和电压; 优良的直流电流增益线性度; 2SD999互补
规格书PDF 下载

×

在线询价:

* 来自:
寄予:
深圳市爱瑞凯电子科技有限公司
商品:
2SB798
*主题:
详细内容:
*验证码: