| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO) | 40V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO) | 32V |
| 集电极连续输出电流ICCollector Current(IC) | 500mA/0.5A |
| 截止频率fTTranstion Frequency(fT) | 250MHz |
| 直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE) | 180~390 |
| 管压降VCE（sat）Collector-Emitter Saturation Voltage | 600mV/0.6V |
| 耗散功率PcPower Dissipation | 200mW/0.2W |
| Description & Applications | Medium Power Transistor Features High IC Low VCE(sat). Optimal for low voltage operation. Complements the 2SA1036K. |
| 描述与应用 | 中等功率晶体管 特点 高IC 低VCE（sat）的低电压操作的最佳选择。 补充2SA1036K。 |