| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO) | 900V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO) | 700V |
| 集电极连续输出电流ICCollector Current(IC) | 6A |
| 截止频率fTTranstion Frequency(fT) | |
| 直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE) | 10 |
| 管压降VCE（sat）Collector-Emitter Saturation Voltage | 500mV/0.5V |
| 耗散功率PcPower Dissipation | 80W |
| Description & Applications | NPN Silicon triple diffused Transistors Features High Voltage ,High speed switching High reliability Applications Switching regulators Ultrasonic generators High frequency inverters general purpose power amplifiers |
| 描述与应用 | NPN硅三重扩散晶体管 特点 高电压，高速开关 高可靠性 应用 开关稳压器 超声波发生器 高频逆变器 通用功率放大器 |