| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO) | 300V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO) | 300V |
| 集电极连续输出电流ICCollector Current(IC) | 100mA/0.1A |
| 截止频率fTTranstion Frequency(fT) | 70MHz |
| 直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE) | 50~150 |
| 管压降VCE（sat）Collector-Emitter Saturation Voltage | 500mV/0.5V |
| 耗散功率PcPower Dissipation | 200mW/0.2W |
| Description & Applications | TOSHIBA Transistor Silicon NPN triple diffused Type (PCT process) HIGH VOLTAGE CONTROL APPLICATIONS High Voltage Low Saturation Voltage Small Collector Output Capacitance |
| 描述与应用 | 东芝晶体管的硅NPN型三重扩散型（PCT程序） 高电压控制应用 高电压 低饱和电压 小集电极输出电容 |