| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO) | 80V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO) | 50V |
| 集电极连续输出电流ICCollector Current(IC) | 1A |
| 截止频率fTTranstion Frequency(fT) | 100MHz |
| 直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE) | 120~400 |
| 管压降VCE（sat）Collector-Emitter Saturation Voltage | 500mV/0.5V |
| 耗散功率PcPower Dissipation | 500mW/0.5W |
| Description & Applications | TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT process) power amplifier applications power switching applications Low Saturation Voltage High Speed Switching Time Small Flat Package Pc=1-2W |
| 描述与应用 | 东芝晶体管的硅NPN外延式（PCT的进程） 功率放大器应用 电源开关的应用 低饱和电压 高速开关时间 小型扁平封装 PC= 1-2W |