| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO) |
60V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO) |
50V |
| 集电极连续输出电流ICCollector Current(IC) |
2A |
| 截止频率fTTranstion Frequency(fT) |
210MHz |
| 直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE) |
120~270 |
| 管压降VCE（sat）Collector-Emitter Saturation Voltage |
100mV/0.1V |
| 耗散功率PcPower Dissipation |
500mW/0.5W |
| Description & Applications |
Features •Low Frequency Transistor (50V, 2A) •Low saturation voltage, typically VCE (sat) =0.1V at IC/IB =1A /50mA. •Excellent DC current gain characteristics. •Complements the 2SA1797. |
| 描述与应用 |
特点 •低频率晶体管（50V，2A） •低饱和电压，通常为VCE（星期六）=0.1V IC / IB=1A /50毫安。 •优秀DC电流增益特性。 补充2SA1797。 |