| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO) |
12V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO) |
6V |
| 集电极连续输出电流ICCollector Current(IC) |
50mA |
| 截止频率fTTranstion Frequency(fT) |
800MHz |
| 直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE) |
180~390 |
| 管压降VCE（sat）Collector-Emitter Saturation Voltage |
<300mV/0.3V |
| 耗散功率PcPower Dissipation |
200mW/0.2W |
| Description & Applications |
Features •High frequency amplifier transistor,RF switching (6V, 50mA) •Very low output-on resistance (Ron). •Low capacitance. |
| 描述与应用 |
特点 •高频晶体管放大器，RF开关（6V，50毫安） •非常低的输出电阻（Ron）。 •低电容。 |