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商品参数:

  • 型号:2SC4853-4-TL-E
  • 厂家:SANYO
  • 批号:08+ROHS 08+ROHS
  • 整包数量:3000
  • 最小起批量:10
  • 标记/丝印/代码/打字:CN4
  • 封装:SOT-523/SMCP
  • 技术文档:下载

集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO)12V
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO)6V
集电极连续输出电流ICCollector Current(IC)15mA
截止频率fTTranstion Frequency(fT)5GHz
直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE)90~180
管压降VCE(sat)Collector-Emitter Saturation Voltage
耗散功率PcPower Dissipation80mW
Description & ApplicationsFeatures •SANYO Semiconductors •NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor •Low-Voltage, Low-Current High-Frequency Amplifier Applications • Low-voltage, low-current operation : fT=5GHz typ. (VCE=1V, IC=1mA) :⏐S21e⏐2=7dB typ (f=1GHz). : NF=2.6dB typ (f=1GHz).
描述与应用特点 •三洋半导体 •NPN平面外延硅晶体管 •低电压,低电流的高频放大器的应用 •低电压,低电流操作:FT =5GHz的典型。 (VCE=1V,IC=1毫安):⏐S21E⏐2=7分贝典型值(F =1GHz的)。 :NF=2.6分贝典型值(F=1GHz的)。
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深圳市爱瑞凯电子科技有限公司
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2SC4853-4-TL-E
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