| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO) | 25V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO) | 13V |
| 集电极连续输出电流ICCollector Current(IC) | 50mA |
| 截止频率fTTranstion Frequency(fT) | 3.5Ghz |
| 直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE) | 60~150 |
| 管压降VCE（sat）Collector-Emitter Saturation Voltage | <300mV/0.3V |
| 耗散功率PcPower Dissipation | 120mW/0.12W |
| Description & Applications | Features • SILICON TRANSISTOR • NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR 3 PINS SUPER MINI MOLD • Excellent Low NF in Low Frequency Band • Low Voltage Use • Low Cob : 0.9 pF TYP. • Low Noise Voltage : 90 mV TYP. • Super Mini Mold Package. EIAJ : SC-70 |
| 描述与应用 | 特点 •硅晶体管 •NPN硅外延晶体管3针超级迷你模具 •出色的低NF在低频段 •低电压使用 •低COB：0.9 pF（典型值）。 •低噪声电压：90 mV典型值。 •超级迷你模具包装。 EIAJ：SC-70 |