| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO) | 20V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO) | 12V |
| 集电极连续输出电流ICCollector Current(IC) | 30mA |
| 截止频率fTTranstion Frequency(fT) | 5.5GHz |
| 直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE) | 60~120 |
| 管压降VCE（sat）Collector-Emitter Saturation Voltage | 5V |
| 耗散功率PcPower Dissipation | 100mW/0.1W |
| Description & Applications | Features • SILICON TRANSISTOR • NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR 3 PINS ULTRA SUPER MINI MOLD • High fT : 5.0 GHz TYP. (@ VCE = 5 V, IC = 5 mA, f = 1 GHz) • Low Cre : 0.9 pF TYP. (@ VCB = 5 V, IE = 0, f = 1 MHz) • Ultra Super Mini Mold Package. (1.6 mm × 0.8 mm) |
| 描述与应用 | 特点 •硅晶体管 •NPN硅外延晶体管3针超超MINI模具 •高FT：5.5 GHz的TYP。 （@ VCE= 5 V，IC =5毫安，F =1千兆赫） •低CRE：0.7 PF TYP。 （VCB=5 V，IE=0时，F =1兆赫） •超超级迷你模具包装。 （1.6毫米×0.8毫米） |