| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO) | 100V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO) | 60V |
| 集电极连续输出电流ICCollector Current(IC) | 5A |
| 截止频率fTTranstion Frequency(fT) | 120MHz |
| 直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE) | 82~270 |
| 管压降VCE（sat）Collector-Emitter Saturation Voltage | 150mV/0.15V |
| 耗散功率PcPower Dissipation | 1W |
| Description & Applications | High speed switching transistor Features 1) Low VCE(sat) (Typ. 0.15V at IC / IB = 3 / 0.15A) 2) High speed switching (tf : Typ. 0.1 µs at IC = 3A) 3) Wide SOA. (safe operating area) |
| 描述与应用 | 高速开关晶体管 特点 1）低VCE（SAT）（典型值0.15V IC / IB=3 /0.15A） 2）高速开关（TF：典型值0.1μs在IC=3A） 3）宽SOA。 （安全工作区） |