| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO) | 400V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO) | 400V |
| 集电极连续输出电流ICCollector Current(IC) | 2A |
| 截止频率fTTranstion Frequency(fT) | 10MHz |
| 直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE) | 25~50 |
| 管压降VCE（sat）Collector-Emitter Saturation Voltage | <1V |
| 耗散功率PcPower Dissipation | 1W |
| Description & Applications | High Voltage Switching Transistor Features 1) Low VCE(sat). VCE(sat) = 0.15V (Typ.) (IC / IB = 1A / 0.2A) 2) High breakdown voltage. VCEO = 400V 3) Fast switching. tr = 1.0µs (IC = 0.8A) structure Three-layer, diffused planar type NPN silicon transistor |
| 描述与应用 | 高电压开关晶体管 特点 1）低VCE（sat）的。 VCE（星期六）=0.15V（典型值） （IC / IB=1A /0.2A） 2）高的击穿电压。 VCEO= 400V 3）快速切换。 TR =1.0μS （IC=0.8A） 结构 三层，扩散平面型 NPN硅晶体管 |