首页
购物车0

×

商品参数:

  • 型号:2SC5180
  • 厂家:NEC
  • 批号:05+
  • 整包数量:3000
  • 最小起批量:10
  • 标记/丝印/代码/打字:T84
  • 封装:SOT-343
  • 技术文档:下载

集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO)5V
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO)3V
集电极连续输出电流ICCollector Current(IC)10mA
截止频率fTTranstion Frequency(fT)15.5GHz
直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE)70~140
管压降VCE(sat)Collector-Emitter Saturation Voltage
耗散功率PcPower Dissipation30mW
Description & ApplicationsNPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR IN ULTRA SUPER MINI-MOLD PACKAGE FOR LOW-NOISE MICROWAVE AMPLIFICATION FEATURES • Low current consumption and high gain |S21e|*2 = 12 dBTYP. @ VCE = 2 V, IC = 7 mA, f = 2 GHz |S21e|*2=11 dBTYP. @VCE = 1 V, IC = 5 mA, f = 2 GHz • Super Mini-Mold package
描述与应用NPN外延硅晶体管超超小型模具包装 低噪声微波放大 特点 •低电流消耗和高增益 | S21E|* 2 =12 dBTYP。 @ VCE= 2 V,IC =7毫安,F =2吉赫 | S21E|* 2 =11 dBTYP。 @ VCE= 1 V,IC= 5毫安,F =2吉赫 •超级迷你模具包装
规格书PDF 下载

×

在线询价:

* 来自:
寄予:
深圳市爱瑞凯电子科技有限公司
商品:
2SC5180
*主题:
详细内容:
*验证码: