| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO) |
50V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO) |
50V |
| 集电极连续输出电流ICCollector Current(IC) |
200mA/0.2A |
| 截止频率fTTranstion Frequency(fT) |
200MHz |
| 直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE) |
150~300 |
| 管压降VCE（sat）Collector-Emitter Saturation Voltage |
|
| 耗散功率PcPower Dissipation |
150mW/0.15W |
| Description & Applications |
LOW FREQUENCY AMPLIFY APPLICATION SILICON NPN EPITAXIAL TYPE(Ultra super mini type) FEATURE Small collector to emitter saturation voltage. VCE(sat)=0.3V max（@Ic=100mA,IB=10mA） Excellent linearity of DC forward gain. Ultra super mini package for easy mounting APPLICATION Hybrid IC,small type machine low frequency voltage Amplify application. |
| 描述与应用 |
低频率AMPLIFY应用 硅NPN外延型（超超超迷你型） 特点 体积小集电极到发射极饱和电压。 VCE（sat）的=0.3V最大（在@ Ic=100MA，IB=10毫安） 的DC的前锋的出色的线性度有所收获。 超超超迷你封装用于轻松安装， 应用 混合集成电路，小型机低频电压放大应用程序。 |