| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO) | 9.0V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO) | 6V |
| 集电极连续输出电流ICCollector Current(IC) | 30mA |
| 截止频率fTTranstion Frequency(fT) | 13Ghz |
| 直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE) | 90~200 |
| 管压降VCE（sat）Collector-Emitter Saturation Voltage | |
| 耗散功率PcPower Dissipation | 150mW/0.15W |
| Description & Applications | NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor UHF to S Band Low-Noise Amplifier, OSC Applications Features · Low noise : NF=1.2dB typ (f=2GHz). · High gain : |S21e|*2 =10dB typ (f=2GHz). · High cutoff frequency : fT=13GHz typ. |
| 描述与应用 | NPN平面外延硅晶体管 UHF到S波段低噪声放大器， OSC应用 特点 ·低噪音：NF=1.2分贝典型值（F =2GHz的）。 ·高增益：S21E| *2 =10dB的典型值（F =2GHz的）。 ·高截止频率：FT =13GHz的典型。 |