| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO) | 20V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO) | 3V |
| 集电极连续输出电流ICCollector Current(IC) | 50mA |
| 截止频率fTTranstion Frequency(fT) | 4.5Ghz |
| 直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE) | 30~200 |
| 管压降VCE（sat）Collector-Emitter Saturation Voltage | |
| 耗散功率PcPower Dissipation | 400mW/0.4W |
| Description & Applications | High Frequency Amplify Application Silicon NPN Epitaxial Type DESCRIPTION 2SC5547 is SC-62(SOT-89) package resin sealed silicon NPN epitaxial transistor. It is designed for high frequency application. FEATUREs ･High gain bandwidth product. fT=4.5GHz ･High gain,low noise ･Can operate at low voltage. ･SC-62(SOT-89)package easy mountaing APPLICATION For TV tuners,high frequency amplifier. celluar phone system. |
| 描述与应用 | 高频放大应用 硅NPN外延型 说明 2SC5547是SC-62封装（SOT-89） 树脂密封硅NPN外延晶体管。 它是专为高频应用。 特点 ·高增益带宽积。 FT =4.5GHz的 ·高增益，低噪声 ·可在低电压下运行。 ·SC-62封装（SOT-89）容易mountaing的 应用 对于电视调谐器，高频放大器。 细胞电话系统。 |