| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO) | 100V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO) | 80V |
| 集电极连续输出电流ICCollector Current(IC) | 4A |
| 截止频率fTTranstion Frequency(fT) | 10MHz |
| 直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE) | 100~500 |
| 管压降VCE（sat）Collector-Emitter Saturation Voltage | <1V |
| 耗散功率PcPower Dissipation | 2W |
| Description & Applications | Power Transistor Features 1) Low saturation voltage. (Typ. VCE(sat) = 0.3V at IC / IB =2 / 0.2A) 2) Excellent DC current gain characteristics. 3) Pc = 30W (Tc = 25°C) 4) Wide SOA (safe operating area). |
| 描述与应用 | 功率晶体管 特点 1）低饱和电压。 （典型值VCE（sat）的IC / IB=2/0.2A= 0.3V） 2）优秀DC电流增益特性。 3）PC=30W（TC= 25°C） 4）宽安全工作区（SOA）。 |