| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO) | 15V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO) | 12V |
| 集电极连续输出电流ICCollector Current(IC) | 500mA/0.5A |
| 截止频率fTTranstion Frequency(fT) | 320MHz |
| 直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE) | 270~680 |
| 管压降VCE（sat）Collector-Emitter Saturation Voltage | 90mV |
| 耗散功率PcPower Dissipation | 150mW/0.15W |
| Description & Applications | Low frequency transistor Applications For switching For muting Features 1) High current. 2) Low VCE(sat). VCE(sat) ≤ 250mV at IC = 200mA / IB = 10mA |
| 描述与应用 | 低频晶体管 应用 对于开关 对于静音 特点 1）高电流。 2）低VCE（sat）的。 VCE（sat）的≤250mV的IC=200mA的/ IB =10毫安 |