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  • 型号:2SC5785
  • 厂家:TOSHIBA
  • 批号:05+ 05+
  • 整包数量:1000
  • 最小起批量:10
  • 标记/丝印/代码/打字:3E
  • 封装:SOT-89/PW-Mini
  • 技术文档:下载

集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO)20V
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO)10V
集电极连续输出电流ICCollector Current(IC)2A
截止频率fTTranstion Frequency(fT)
直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE)400~1000
管压降VCE(sat)Collector-Emitter Saturation Voltage<120mV/0.12V
耗散功率PcPower Dissipation1W
Description & ApplicationsTransistor Silicon NPN Epitaxial Type High-Speed Switching Applications DC-DC Converter Applications Strobe Applications • High DC current gain: hFE = 400 to 1000 (IC = 0.2 A) • Low collector-emitter saturation voltage: VCE (sat) = 0.12 V (max) • High-speed switching: tf = 25 ns (typ.)
描述与应用晶体管的硅NPN外延型 高速开关应用 DC-DC转换器应用 频闪应用 •高直流电流增益:HFE=400至1000(IC= 0.2 A) •低集电极 - 发射极饱和电压VCE(饱和)= 0.12 V(最大值) •高速开关:TF =25 ns
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深圳市爱瑞凯电子科技有限公司
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2SC5785
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