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商品参数:

  • 型号:2SD1006
  • 厂家:NEC
  • 批号:05+ 05+
  • 整包数量:1000
  • 最小起批量:10
  • 标记/丝印/代码/打字:HM
  • 封装:SOT-89
  • 技术文档:下载

集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO)100V
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO)100V
集电极连续输出电流ICCollector Current(IC)700mA/0.7A
截止频率fTTranstion Frequency(fT)90MHz
直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE)90~180
管压降VCE(sat)Collector-Emitter Saturation Voltage300mV/0.3V
耗散功率PcPower Dissipation2W
Description & ApplicationsSilicon NPN epitaxial transistors description 2SD1007 is designed for audio frequency power amplifier application , especially in hybrid integrated circuits Features * high collector to emitter voltage * world standard miniature package
描述与应用NPN硅外延晶体管 描述 2SD1007是专为音频功放中的应用, 特别是在混合集成电路  特点 *高集电极到发射极电压 *世界标准的微型封装
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深圳市爱瑞凯电子科技有限公司
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2SD1006
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