| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO) | 60V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO) | 60V |
| 集电极连续输出电流ICCollector Current(IC) | 3A |
| 截止频率fTTranstion Frequency(fT) | 120MHz |
| 直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE) | 800~3200 |
| 管压降VCE（sat）Collector-Emitter Saturation Voltage | 250mV/0.25V |
| 耗散功率PcPower Dissipation | 2W |
| Description & Applications | SMD type transistor NPN Silicon Epitaxial Transistor Features Low VCE(sat). High hFE. |
| 描述与应用 | SMD型晶体管 NPN硅外延晶体管 特点 低VCE（饱和）。 HFE高。 |