| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO) |
40V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO) |
32V |
| 集电极连续输出电流ICCollector Current(IC) |
1A |
| 截止频率fTTranstion Frequency(fT) |
150MHz |
| 直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE) |
180~390 |
| 管压降VCE（sat）Collector-Emitter Saturation Voltage |
150mV/0.15V |
| 耗散功率PcPower Dissipation |
500mW/0.5W |
| Description & Applications |
Medium Power Transistor (32V, 1A) Features *Low VCE(sat), VCE(sat) = 0.15V (typical). (IC /IB = 500mA/50mA) * Complements the 2SB1132 / 2SB1237. Structure Epitaxial planar type NPN silicon transistor |
| 描述与应用 |
中等功率晶体管（32V，1A） 特点 *低VCE（sat）的，VCE（饱和）=0.15V。 （IC / IB500mA/50mA） *补充 2SB1132/2SB1237。 结构 外延平面型 NPN硅晶体管 |