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商品参数:

  • 型号:2SD1733TLQ
  • 厂家:ROHM
  • 批号:05+
  • 整包数量:2500
  • 最小起批量:10
  • 标记/丝印/代码/打字:D1733
  • 封装:TO-252/CPT3
  • 技术文档:下载

集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO)100V
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO)80V
集电极连续输出电流ICCollector Current(IC)1A
截止频率fTTranstion Frequency(fT)100MHz
直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE)82~180
管压降VCE(sat)Collector-Emitter Saturation Voltage150mV/0.15V
耗散功率PcPower Dissipation1W
Description & ApplicationsPower Transistor (80V, 1A) Features * High VCEO, VCEO = 80V * High IC, IC = 1A (DC) * Good hFE linearity. * Low VCE(sat). structure Epitaxial planar type NPN silicon transistor
描述与应用功率晶体管(80V,1A) 特点 *高VCEO VCEO=80V *高IC IC= 1A(DC) *良好的HFE线性。 *低VCE(SAT)。 结构 外延平面型 NPN硅晶体管
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深圳市爱瑞凯电子科技有限公司
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2SD1733TLQ
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