| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO) | 40V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO) | 32V |
| 集电极连续输出电流ICCollector Current(IC) | 2A |
| 截止频率fTTranstion Frequency(fT) | 100MHz |
| 直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE) | 120~270 |
| 管压降VCE（sat）Collector-Emitter Saturation Voltage | 500mV/0.5V |
| 耗散功率PcPower Dissipation | 500mW/0.5W |
| Description & Applications | Medium Power Transistor (32V, 2A) Features *Low VCE(sat). VCE(sat) = 0.5V(Typ.) （IC / IB = 2A / 0.2A） Structure *Epitaxial planar type *NPN silicon transistor |
| 描述与应用 | 中等功率晶体管（32V，2A） 特点 *低VCE（SAT）。 VCE（饱和）= 0.5V （IC / IB=2A/0.2A） 结构 *外延平面型 * NPN硅的晶体管 |