| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO) |
40V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO) |
32V |
| 集电极连续输出电流ICCollector Current(IC) |
2A |
| 截止频率fTTranstion Frequency(fT) |
100MHz |
| 直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE) |
120~270 |
| 管压降VCE（sat）Collector-Emitter Saturation Voltage |
500mV/0.5V |
| 耗散功率PcPower Dissipation |
500mW/0.5W |
| Description & Applications |
Features * Low VCE(sat). VCE(sat) = 0.5V (Typ.) (IC / IB = 2A / 0.2A) structure Epitaxial planar type NPN silicon transistor |
| 描述与应用 |
特点 *低VCE（SAT）。 VCE（饱和）= 0.5V （IC / IB=2A/0.2A） 结构 外延平面型 NPN硅晶体管 |