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  • 型号:2SD1766 T100Q
  • 厂家:ROHM
  • 批号:05+rohs 05+ROHS300
  • 整包数量:1000
  • 最小起批量:10
  • 标记/丝印/代码/打字:DBQ
  • 封装:SOT-89/SC-62/MPT3
  • 技术文档:下载

集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO) 40V
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO) 32V
集电极连续输出电流ICCollector Current(IC) 2A
截止频率fTTranstion Frequency(fT) 100MHz
直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE) 120~270
管压降VCE(sat)Collector-Emitter Saturation Voltage 500mV/0.5V
耗散功率PcPower Dissipation 500mW/0.5W
Description & Applications Features * Low VCE(sat). VCE(sat) = 0.5V (Typ.) (IC / IB = 2A / 0.2A) structure Epitaxial planar type NPN silicon transistor
描述与应用 特点 *低VCE(SAT)。 VCE(饱和)= 0.5V (IC / IB=2A/0.2A) 结构 外延平面型 NPN硅晶体管
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深圳市爱瑞凯电子科技有限公司
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2SD1766 T100Q
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