| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO) | 80V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO) | 80V |
| 集电极连续输出电流ICCollector Current(IC) | 500mA/0.5A |
| 截止频率fTTranstion Frequency(fT) | 180MHz |
| 直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE) | 120~270 |
| 管压降VCE（sat）Collector-Emitter Saturation Voltage | 200mV/0.2V |
| 耗散功率PcPower Dissipation | 200mW/0.2W |
| Description & Applications | Features * Low VCE(sat). VCE(sat) = 0.2V (Typ.) (IC / IB = 0.5A / 50mA) * High VCEO, VCEO = 80V Structure Epitaxial planar type NPN silicon transistor |
| 描述与应用 | 特点 *低VCE（sat）的。 VCE（饱和）=0.2V （IC / IB= 0.5A/50MA） *高VCEO VCEO=80V 结构 外延平面型 NPN硅晶体管 |