| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO) |
30V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO) |
30V |
| 集电极连续输出电流ICCollector Current(IC) |
1.5A |
| 截止频率fTTranstion Frequency(fT) |
|
| 直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE) |
4000 |
| 管压降VCE（sat）Collector-Emitter Saturation Voltage |
1.5V |
| 耗散功率PcPower Dissipation |
1000mW |
| Description & Applications |
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) (Darlington). Micro Motor Drive, Hammer Drive Applications. Switching Applications. Power Amplifier Applications. *High DC current gain: hFE = 4000 (min) (VCE = 2 V, IC = 150 mA). *Low saturation voltage: VCE (sat) = 1.5 V (max) (IC = 1 A, IB = 1 mA). |
| 描述与应用 |
东芝场效应晶体管NPN硅外延型（PCT工艺）（达林）。 微电机驱动，锤驱动应用。 切换应用程序。 功率放大器应用。 *高直流电流增益：HFE= 4000（分钟）（VCE= 2 V，IC=150 mA时）。 *低饱和电压VCE（星期六）=1.5 V（最大值）（IC=1 A，IB= 1毫安）。 |