| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO) | 120V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO) | 100V |
| 集电极连续输出电流ICCollector Current(IC) | 4A |
| 截止频率fTTranstion Frequency(fT) | 180MHz |
| 直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE) | 200~400 |
| 管压降VCE（sat）Collector-Emitter Saturation Voltage | 150mV/0.15V |
| 耗散功率PcPower Dissipation | 1W |
| Description & Applications | PNP/NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor High Current Switching Applications Applications · suitable for relay drivers, high speed inverters,converters,and other general high current switching application. Features * high fT * fast switch time * Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat) * good linearity of hFE |
| 描述与应用 | PNP/ NPN平面外延硅晶体管 高电流开关应用 应用 ·适合于继电器驱动器，高速逆变器，转换器，及其他一般高电流开关应用。 特点 *高FT *快速开关时间 *低集电极到发射极饱和电压VCE（SAT） *良好的线性HFE |