| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO) |
50V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO) |
20V |
| 集电极连续输出电流ICCollector Current(IC) |
5A |
| 截止频率fTTranstion Frequency(fT) |
150MHz |
| 直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE) |
120~270 |
| 管压降VCE（sat）Collector-Emitter Saturation Voltage |
250mV/0.25V |
| 耗散功率PcPower Dissipation |
500mW/0.5W |
| Description & Applications |
features *Low VCE(饱和). VCE(饱和) = 0.25V (Typ.) (IC / IB = 4A / 0.1A) * Excellent DC current gain characteristics. structure Epitaxial planar type NPN silicon transistor |
| 描述与应用 |
特点 *低VCE（饱和）。 VCE（饱和）= 0.25V （IC / IB= 4A/0.1A） *优异的DC电流增益特性。 ？结构 外延平面型 NPN硅晶体管 |