| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO) | 25V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO) | 20V |
| 集电极连续输出电流ICCollector Current(IC) | 500mA/0.5A |
| 截止频率fTTranstion Frequency(fT) | 350MHz |
| 直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE) | 560~1200 |
| 管压降VCE（sat）Collector-Emitter Saturation Voltage | 180mV/0.18V |
| 耗散功率PcPower Dissipation | 200mW/0.2W |
| Description & Applications | features * High DC current gain. hFE = 1200 (Typ.) * High emitter-base voltage. VEBO = 12V (Min.) * Low VCE(sat). VCE(sat) = 0.18V (Typ.) (IC / IB = 500mA / 20mA) structure Epitaxial planar type NPN silicon transisto |
| 描述与应用 | *高直流电流增益。 HFE=1200 *高发射基地电压。 VEBO=12V（最小值） *低VCE（SAT）。 VCE（饱和）=0.18V （IC/ IB=500mA/20毫安的） 结构 外延平面型 NPN硅transisto的 |