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  • 型号:2SD2118TLQ
  • 厂家:ROHM
  • 批号:05+
  • 整包数量:2500
  • 最小起批量:10
  • 标记/丝印/代码/打字:D2118
  • 封装:TO-252/CPT3
  • 技术文档:下载

集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO)50V
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO)20V
集电极连续输出电流ICCollector Current(IC)5A
截止频率fTTranstion Frequency(fT)150MHz
直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE)120~390
管压降VCE(sat)Collector-Emitter Saturation Voltage250mV/0.25V
耗散功率PcPower Dissipation1W
Description & Applications applications Low VCE(sat) Transistor(Strobe flash) Features * Low VCE(饱和). VCE(饱和) = 0.25V (Typ.) (IC / IB = 4A / 0.1A) * Excellent DC current gain characteristics. structure Epitaxial planar type NPN silicon transistor
描述与应用应用 低VCE(sat)的晶体管(频闪闪光) 特点 *低VCE(饱和)。 VCE(饱和)= 0.25V (IC / IB= 4A/0.1A) *优异的DC电流增益特性。 结构 外延平面型 NPN硅晶体管
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深圳市爱瑞凯电子科技有限公司
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2SD2118TLQ
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