| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO) | 400V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO) | 400V |
| 集电极连续输出电流ICCollector Current(IC) | 500mA/0.5A |
| 截止频率fTTranstion Frequency(fT) | 13.5MHz |
| 直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE) | 82~270 |
| 管压降VCE（sat）Collector-Emitter Saturation Voltage | 500mV/0.5V |
| 耗散功率PcPower Dissipation | 10W |
| Description & Applications | Power Transistor (400V, 0.5A) Features 1) High breakdown voltage.(BVCEO=400V) |
| 描述与应用 | 功率晶体管（400V，0.5A） 特点 1）高的击穿电压（BVCEO= 400V） |