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商品参数:

  • 型号:2SJ132-Z-T1
  • 厂家:NEC
  • 批号:05+
  • 整包数量:1500
  • 最小起批量:10
  • 标记/丝印/代码/打字:J132
  • 封装:TO-252/DPAK
  • 技术文档:下载

最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage-30V
最大栅源极电压Vgs(±)Gate-Source Voltage20V
最大漏极电流IdDrain Current-2A
源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance0.25Ω -1A,-10V
开启电压Vgs(th)Gate-Source Threshold Voltage-1.0--3.0V
耗散功率PdPower Dissipation20W
Description & ApplicationsMOS FIELD EFFECT POWER TRANSISTOR P-CHANNEL POWER MOSFET FOR SWITCHING Gate drive available at logic level (VGS = −4 V) High current control available in small dimension due to low RDS(on) (≅ 0.25 Ω) 2SJ132-Z is a lead process product and is ideal for mounting a hybrid IC
描述与应用MOS场效应功率晶体管 P沟道功率MOSFET 用于开关 栅极驱动逻辑电平(VGS=-4 V) 高电流控制由于在小尺寸,低RDS(on)(≅0.25Ω) 2SJ132-Z是一款铅工艺产品,非常适合安装一个混合IC
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深圳市爱瑞凯电子科技有限公司
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2SJ132-Z-T1
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