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  • 型号：2SJ182
  • 厂家：HITACHI
  • 批号：05+
  • 整包数量：3000
  • 最小起批量：10
  • 标记/丝印/代码/打字：J182
  • 封装：TO-252/DPAK
  • 技术文档：下载

最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage-60V
最大栅源极电压Vgs(±)Gate-Source Voltage20V
最大漏极电流IdDrain Current-3A
源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance0.28Ω @-2A,-10V
开启电压Vgs（th）Gate-Source Threshold Voltage-1.0-2.0V
耗散功率PdPower Dissipation20W
Description & ApplicationsSILICON P-CHANNEL MOS FET Low on-resistance High speed switching Low drive current 4V gate drive device-can be driven from 5V source suitable for motor drive,DC-DCconverter,power switch and solenoid drive
描述与应用硅P沟道MOS场效应管 低导通电阻 高速开关 低驱动电流 4V栅极驱动器可以驱动从5V电源 适用于电机驱动器，直流 - 直流转换，电源开关和螺线管驱动
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深圳市爱瑞凯电子科技有限公司
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2SJ182
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