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  • 型号：2SJ185
  • 厂家：NEC
  • 批号：05+ 05+
  • 整包数量：3000
  • 最小起批量：10
  • 标记/丝印/代码/打字：H12
  • 封装：SOT-23/SC-59
  • 技术文档：下载

最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage-50V
最大栅源极电压Vgs(±)Gate-Source Voltage7V
最大漏极电流IdDrain Current-100mA/-0.1A
源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance13Ω -10mA,-4V
开启电压Vgs（th）Gate-Source Threshold Voltage-1.2--2.0V
耗散功率PdPower Dissipation200mW/0.2W
Description & ApplicationsMOS FIELD EFFECT TRANSISTOR P-CHANNEL MOS FET FOR HIGH-SPEED SWITCHING Directly driven by ICs having a 3V power supply Not necessary to consider driving current because of its high input impedance Possible to reduce the number of parts by omitting the bias resistor Complementary to 2SK1399
描述与应用MOS场效应晶体管 P-通道 MOS FET 高速开关 直接驱动3V电源IC 不必考虑驱动电流，因为它的高输入阻抗 能够减少部件的数量通过省去偏置电阻 对管是2SK1399
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深圳市爱瑞凯电子科技有限公司
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2SJ185
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