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  • 型号：2SJ195
  • 厂家：SANYO
  • 批号：05+
  • 整包数量：700
  • 最小起批量：10
  • 标记/丝印/代码/打字：J195
  • 封装：TO-252/DPAK/TP-FA
  • 技术文档：下载

最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage-60V
最大栅源极电压Vgs(±)Gate-Source Voltage20V
最大漏极电流IdDrain Current-1.5A
源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance0.9Ω @-500mA,-4V
开启电压Vgs（th）Gate-Source Threshold Voltage-2.1--3.0V
耗散功率PdPower Dissipation2W
Description & Applicationsp-channel mos silicon fet very high-speed switching applications Low on resistance very high-speed switching Low-voltage drive
描述与应用p沟道MOS场效应晶体管硅 非常高速的开关应用 低导通电阻 非常高速开关 低电压驱动
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深圳市爱瑞凯电子科技有限公司
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2SJ195
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